Samsung Rincikan Node 2nm Mendatang dan Rencana 1.4nm di 2029
RAKYATMEDIAPERS.CO.ID - Samsung mengungkapkan peta jalan teknologi semikonduktor terbaru di acara SAFE Forum (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), menjabarkan rencana untuk node 2nm dan transisi ke 1.4nm pada tahun 2029. Perusahaan asal Korea Selatan ini menegaskan komitmennya dalam inovasi chip untuk mendukung permintaan di sektor smartphone dan AI.
Node 2nm dan Peluncuran Exynos 2600
Tahun lalu, Samsung memperkenalkan Exynos 2600, chip smartphone pertama yang diproduksi menggunakan node 2nm yang disebut SF2. Chip ini menandai tonggak baru dalam industri, menawarkan peningkatan kepadatan transistor dan efisiensi daya dibandingkan generasi sebelumnya.
Selanjutnya adalah node SF2P, yang dirancang untuk mengurangi konsumsi daya sebesar 26% dan meningkatkan kecepatan clock hingga 15%. Peningkatan ini tidak hanya bergantung pada node baru, tetapi juga pada metode optimasi desain yang canggih.
Peran DTCO dalam Peningkatan Performa
Shin Jong-shin, Wakil Presiden Tim Pengembangan Platform Desain di Samsung Foundry, menjelaskan bahwa lebih dari setengah keuntungan performa datang dari DTCO (Design-Technology Co-Optimization). DTCO adalah pendekatan yang menggabungkan metodologi manufaktur semikonduktor dengan desain chip, yang secara tradisional terpisah, untuk menghasilkan desain lebih teroptimasi.
Dengan bekerja secara simultan, DTCO memungkinkan desain chip yang lebih cepat, hemat daya, dan biaya produksi yang lebih rendah. Inovasi ini menjadi kunci untuk memenuhi kebutuhan perangkat elektronik masa depan yang semakin kompleks.
Node Lanjutan SF2P+ dan SF2X untuk AI
Setelah SF2P, Samsung berencana merilis node SF2P+, dengan produksi massal yang dijadwalkan antara tahun 2027 dan 2028. Node ini akan membawa peningkatan lebih lanjut dalam efisiensi dan kinerja untuk berbagai aplikasi.
Selain itu, Samsung sedang mengembangkan node SF2X yang dioptimalkan khusus untuk perangkat keras AI, menanggapi pertumbuhan pesat dalam kecerdasan buatan. Hal ini menunjukkan fokus Samsung pada sektor yang sedang booming.
Optimasi Densitas SRAM pada Chip
Samsung juga berupaya untuk memadatkan lebih banyak SRAM (Static Random-Access Memory) pada chip, yang krusial untuk register dan cache pada CPU atau GPU. Meskipun SRAM lebih cepat dari DRAM, ukurannya lebih besar—sebuah sel SRAM membutuhkan 6 transistor untuk menyimpan satu bit, sementara sel DRAM hanya membutuhkan satu transistor.
Peningkatan densitas SRAM dapat meningkatkan kinerja perangkat secara signifikan, terutama dalam aplikasi yang membutuhkan akses data ultra-cepat. Inisiatif ini sejalan dengan tren industri untuk mengintegrasikan lebih banyak memori on-die.
Contoh Penerapan: Nvidia, Groq, dan Rebellions
Sebagai referensi, GPU Nvidia Rubin yang diproduksi menggunakan node TSMC N3 memiliki 128MB SRAM on-die. Samsung bekerja sama dengan Groq untuk mengembangkan akselerator LLM (Large Language Model) yang akan memiliki lebih dari 500MB SRAM, meskipun masih menggunakan node 4nm yang lebih tua.
Selain itu, startup yang didukung Samsung, Rebellions, memamerkan akselerator AI REBEL-100 yang sedang diproduksi menggunakan node 4nm Samsung. Ini menunjukkan aplikasi praktis dari teknologi Samsung dalam ekosistem AI saat ini.
Transisi ke Node 1.4nm di Masa Depan
Setelah era 2nm, Samsung akan beralih ke node 1.4nm, dimulai dengan SF1.4 yang dijadwalkan untuk produksi massal pada tahun 2029. Node ini akan diikuti oleh SF1.4+ pada tahun 2030, menandakan langkah berikutnya dalam miniaturisasi semikonduktor.
SF1.4 awalnya dijadwalkan untuk tahun 2027, tetapi timeline dipercepat beberapa tahun yang lalu karena kemajuan teknologi. Peralihan ini menekankan persaingan ketat antara produsen chip global untuk mencapai node yang lebih kecil dan efisien.